檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "蔡孟霖".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="化學氣相沉積"
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氮化鎵於矽基板上成長時,因晶格不匹配與熱膨脹係數差異引入應力,造成高密度差排缺陷,降低氮化鎵HEMT元件工作效能。本研究提出以石墨烯做為磊晶界面層,提升氮化鎵磊晶品質之方法。石墨烯是二維材料,垂直膜…
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本論文研究的奈米材料為二維的GaSe奈米帶。第一部分,為GaSe奈米帶的製備,首先,以原子百分比Ga:Se=55:45配置Ga金屬錠及Se粉末總共5 g接著放入40 cm的石英管內,於抽氣真空的狀態…
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本研究探討利用化學氣相沉積系統於二氧化矽/矽基板上成長二硫化鉬薄膜並分析其光電特性實驗中。分別利用熱蒸氣沉積以及熱蒸氣硫化兩種成長方法製備二硫化鉬薄膜。熱蒸氣沉積製備方法為將三氧化鉬粉末與硫粉在高溫…
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二維層狀半導體第六族過渡金屬硫族化物由於具備極大延續摩爾定律潛力,近年來廣受關注。為了達到大規模商業化生產,生長高品質與大面積第六族過渡金屬硫族化物薄膜成為重要議題之一。因此,本研究利用化學氣相沉積…